碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，憑借更高的轉換效率、運行高壓及開關頻率，頗受功率器件青睞。據(jù)市場研究機構Yole預測，碳化硅半導體市場規(guī)模將在2024年達到20億美元。當前，我國正在推進5G、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個領域的“新基建”，為碳化硅提供了廣闊的市場前景。 　　“新基建”帶來新市場 　　與硅材料相比，碳化硅能達到更高的運行電壓、更高的功率密度和更大的開關頻率，使器件實現(xiàn)更高的轉換效率和更好的散熱性能。賽迪智庫集成電路研究所副所長朱邵歆向記者表示，碳化硅材料具有耐高壓、耐高溫、損耗小、開關速度快等特性，制作成的SBD二極管和MOSFET開關管相比硅材料制成的FRD二極管和MOSFET開關管性能更優(yōu)，在光伏逆變器、新能源汽車、充電樁、變頻家電領域已實現(xiàn)規(guī)模應用，具有非常強的推廣前景。 　　新基建關注數(shù)字化基礎設施，將有力支持高新技術的創(chuàng)新發(fā)展，為碳化硅帶來廣闊的市場機遇。 　　泰科天潤董事長陳彤向記者表示，新基建關注的信息基礎設施多為用電大戶，對用電的需求量和質量提出了更高的要求。而用電結構的優(yōu)化，包括用電分配利用環(huán)節(jié)的高低壓轉換、交直流轉換、變頻轉換等，都依托于功率半導體作為底層技術。碳化硅作為新一代半導體材料，具備更高的用電轉換效率，將更有效率地面對新基建的用電需求。 　　“碳化硅提升了用電轉換的效率和質量。相比硅，碳化硅在用電效率上能提升兩到三個百分點，可靠性更高，而且器件的體積重量更小，將在用電結構優(yōu)化中起到更大作用。”陳彤說。 　　具體來說，新基建涉及的5G、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等產業(yè)，都是碳化硅的目標市場。 　　英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經理陳清源向記者指出，5G小基站對電源有著工作溫度范圍寬(-45℃～80℃)、高可靠性、高密度需求。相比硅器件，碳化硅器件散熱系數(shù)更高，更適用于5G小基站的部署。 　　朱邵歆表示，新基建關注的特高壓、新能源汽車充電樁、數(shù)據(jù)中心等都為碳化硅帶來發(fā)展機遇。特別是數(shù)據(jù)中心對能耗的要求持續(xù)提升，更有可能在電源中規(guī)模使用碳化硅器件。數(shù)據(jù)中心使用的高端電源很可能成為碳化硅的下一個增量市場。 　　瀚天天成總經理馮淦向記者表示，碳化硅在大功率電力電子器件具有優(yōu)勢，新基建關注的大部分項目都與碳化硅的布局方向有關，對碳化硅產業(yè)是一個利好。尤其在新能源汽車以及充電樁領域，碳化硅的增長速度可觀，碳化硅從業(yè)者非常看重新能源汽車對碳化硅產業(yè)的帶動作用。 　　辯證看待碳化硅的“貴” 　　相比硅，碳化硅在大功率電子電力器件有著更優(yōu)的物理特性。但是，碳化硅晶圓成本較高，性價比不如硅，這在一定程度上制約了碳化硅的市場發(fā)展。對此，相關企業(yè)負責人表示，要辯證看待碳化硅的成本和發(fā)展?jié)摿Α? 馮淦表示，碳化硅的成本要從三個層次來看。在材料層面，碳化硅的晶圓和外延片，確實比硅要貴，甚至貴出100倍。但是在器件層面，同等規(guī)格的碳化硅器件與硅器件相比，單個管芯的價格可能只有三到五倍的差距。這是因為一個晶圓上面，碳化硅尺寸上可以做得很小，平均每個器件的成本就會降低。 　　“隨著良率的提升，一個晶圓上可以切割出來的碳化硅器件會更多。近幾年，碳化硅器件的成本有希望控制到和硅器件有競爭力的水平，甚至比硅器件還要便宜?！瘪T淦說。同時，在系統(tǒng)層面，也就是逆變器、電源、電動汽車等終端應用方面，使用碳化硅器件可以降低電容、電感、冷卻等系統(tǒng)性成本，并實現(xiàn)更好的性能。 　　陳彤表示，碳化硅成本要進一步下探，需要足夠大的消費市場。硅已經有了30年到50年的發(fā)展過程，而碳化硅在2010年左右才走向民用市場，已經有了幾十億元的市場規(guī)模，發(fā)展速度不算慢。 　　“上游供應商擴產，把成本攤下來，對于下游的終端應用才更有吸引力;同時，下游市場的應用規(guī)模足夠大，買單足夠多，上游供應商才能擴產;這是一個‘雞生蛋、蛋生雞’的問題，也是一個循序漸進的過程?！标愅f。 　　中國企業(yè)應做好細分市場 　　碳化硅產業(yè)鏈主要分為上游襯底、中游外延、下游器件。目前我國企業(yè)在碳化硅的上、中、下游都有布局，但市占率與Cree等國際龍頭企業(yè)還存在差距。 　　Cree作為碳化硅的先行者，在襯底、外延、器件都具有絕對優(yōu)勢。馮淦指出，Cree的優(yōu)勢源于先發(fā)優(yōu)勢和持續(xù)的技術投入。一方面，Cree是最早做碳化硅的企業(yè)之一，聚集、培育了碳化硅產業(yè)的第一批人才;另一方面，作為第一批從事碳化硅產業(yè)化經營的企業(yè)，Cree能夠獲得收益，支持對前沿技術的持續(xù)性資金投入，形成了技術優(yōu)勢。 　　碳化硅本身的產業(yè)特點，也增加了后發(fā)企業(yè)挑戰(zhàn)Cree領先地位的難度。馮淦表示，碳化硅面向的終端領域是大功率電力電子器件，注重產品的可靠性和安全性，具有技術門檻較高、認證周期較長的特點。這意味著終端企業(yè)更換供貨商要面臨產品的重新認證，難度較大。 　　但是，碳化硅目前還處在市場部署的早期階段，國內國際企業(yè)都尚未步入大規(guī)模的量產商用。陳彤表示，對于后發(fā)的功率半導體企業(yè)，要用已經成熟的技術工藝去追趕更有技術積淀的先發(fā)企業(yè)，難度較大。后發(fā)企業(yè)要成長，必須有一個新舊技術迭代的窗口期。 　　“碳化硅是一個新的產業(yè)機會，給了中國功率半導體企業(yè)參與國際競爭的機會。在新技術出現(xiàn)的時候，我們的反應要快。”陳彤說。 　　我國企業(yè)該如何抓住碳化硅的發(fā)展機遇?朱邵歆表示，國內企業(yè)需要錘煉內功，以國內客戶的真實需求為前提，打磨產品和技術，不能僵硬地單一對標國外的發(fā)展路徑，更不能在沒有明確客戶的情況下，過早擴充產能。 　　“提升客戶需要的性能指標比直接擴充產線更加重要和緊迫?！敝焐垤дf。 　　在發(fā)展模式上，馮淦認為，國內企業(yè)不要盲目追求Cree涉獵產業(yè)鏈所有環(huán)節(jié)的發(fā)展模式，這種模式不一定適合當前碳化硅的發(fā)展階段。襯底企業(yè)應專注襯底，外延企業(yè)專注于外延，器件企業(yè)專注于器件，將更有利于形成競爭優(yōu)勢。 　　“將產業(yè)鏈做長的發(fā)展模式只適合市場早期。專注在自己的細分領域，將規(guī)模做大，成本才會下降，競爭力才會提升?！瘪T淦說。

第三代半導體材料成顯學，市場看好未來第三代半導體材料的各項優(yōu)勢，但礙于成本仍貴，量產具有難度，為了加快技術上以及生產上的突破，單打獨斗困難，各方人馬進入團戰(zhàn)階段，越早把良率提升、成本降低、進入量產，越快能享受這塊未來看好的市場大餅。 第三代半導體前景 據(jù)半導體材料分類，第一代半導體材料包括鍺以及硅，也是目前最大宗的半導體材料，成本相對便宜，制程技術也最為成熟，應用領域在資訊產業(yè)以及微電子產業(yè)；第二代半導體材料則包括砷化鎵以及磷化銦，主要應用在通訊產業(yè)以及照明產業(yè)；而第三代半導體才以碳化硅以及氮化鎵為代表，則可應用在更高階的高壓功率元件以及高頻通訊元件領域。 至于碳化硅以及氮化鎵雖然同為第三代半導體材料，但應用略有不同，氮化鎵主要用在中壓領域約600伏特的產品，一部分會與硅材料的市場重疊，但氮化鎵有很好的移動性，適用在頻率高的產品，此特性在基站、 5G等高速產品就會很有優(yōu)勢；而碳化硅則可以用在更高壓，如上千伏的產品，包括電動車用、高鐵或工業(yè)用途，具有很好的耐高溫以及高壓特性。 也因如此，以碳化硅晶圓為例，市場更看好其在車用市場的應用，包括充電樁、新能源車以及馬達驅動等領域，據(jù)市調機構Yole Developpement表示，碳化硅晶圓到2023年時市場規(guī)?？蛇_15億美金，年復合成長率逾31% ；而用在通訊元件領域，到2023年市場也可達13億美金，年復合成長率則可達23% ，商機受矚。 各方人馬合作/結盟/并購動作積極 全球半導體大廠跨入第三代半導體材料，已多展開合作、策略結盟或并購，包括IDM廠商意法半導體并購Norstel AB以及法國Exagan、英飛凌收購Siltectra ，以及日商ROHM收購SiCrystal等等；而臺廠也爭逐第三代半導體材料，以今年上半年臺積電(2330)攜手意法半導體最具代表性，而此次硅晶圓大廠環(huán)球晶與宏捷科的策略私募入股，整合上下游產業(yè)鏈的能力達成互補，加快開發(fā)腳步以及瓶頸，打團戰(zhàn)比單打獨斗，更快可獲取市場。 氮化鎵難度在晶格，碳化硅晶種、長晶都是挑戰(zhàn) 目前第三代半導體材料占比重仍相當?shù)停慨a端的困難仍是最大挑戰(zhàn)。氮化鎵發(fā)展瓶頸段仍在基板段，造成氮化鎵的成本昂貴且供應量不足，主要是因為氮化鎵長在硅上的晶格不匹配，困難度高，另外的困難在于氮化鉀產品容易翹曲，所以基板也要特別制造，如果會往上翹，就要在先逆向長氮化鎵在硅上，具有相當難度。 以碳化硅來說，技術難度在于第一、在長晶的源頭晶種來源就要求相當高的純度、取得困難，第二，長晶的時間相當長，以一般硅材料長晶來說，平均約3-4天即可長成一根晶棒，但碳化硅晶棒則約需要7天，由于長晶過程中要隨著監(jiān)測溫度以及制程的穩(wěn)定，以免良率不佳，故時間拉長更增添長晶制作過程中的難度；第三則是長晶棒的生成，一般的硅晶棒約可有200公分的長度，但長一根碳化硅的長晶棒只能長出2公分，造成量產的困難。 價格仍是普及的最大關鍵 全球以硅為基礎的半導體材料市場約4500億美金，其中第三代半導體僅才占10億美金的水準，比重仍相當?shù)?，以中美晶來說，目前第三代半導體材料僅占中美晶不到1%的水準，包括碳化硅4寸以及6寸產品、氮化鎵8寸的產品，但未來的成長幅度仍很大，不過要商業(yè)化的關鍵即是價格要快速下降，至少要比現(xiàn)在價格還要便宜5成，市場接受度才會提高。 而對于各國的發(fā)展腳步，包括美國、日本、歐盟都想把技術建立起來，且化合物半導體應用領域在軍事也不少，在大功率的高速交通工具也是關鍵材料，所以被各國視為戰(zhàn)略物資，半絕緣的化合物半導體甚至要拿到證明才可以出口，是相當重要的上游材。 至于整體市場的起飛時間，本來市場認為，在5G和電動車的推波助瀾下，2020年第三代半導體材料就會有量，但今年受到新冠疫情影響，整個車用市場大亂，5G布建也受到影響，預估2021年下半年就會比較有量，最快可以應用的還是power相關的產品，但5G以及電動車領域仍是未來撐起市場的重要動能。

2021年1月20日上午，國務院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會，介紹落實五中全會精神，加快推進北京國際科技創(chuàng)新中心建設的有關情況。會上，北京市副市長、秘書長靳偉表示，到2025年，北京國際科技創(chuàng)新中心基本形成。到2035年，北京國際科技創(chuàng)新中心創(chuàng)新力、競爭力、輻射力全球領先，形成國際人才的高地，切實支撐我國建設科技強國。 加速第三代半導體等領域技術和產品的研發(fā)過程 北京市副市長靳偉在國新辦發(fā)布會上表示，“十三五”期間，北京原始創(chuàng)新策源能力進一步增強，涌現(xiàn)出馬約拉納任意子、新型基因編輯技術、天機芯、量子直接通信樣機等一批世界級的重大原創(chuàng)成果，未來五年，北京要進一步堅持“鍛長板”與“補短板”并重，立足科技自立自強，堅持有所為、有所不為，圍繞“四個面向”，開展重點領域關鍵核心技術研發(fā)工作。 第一，在鍛造長板方面，進一步強化重點領域領先優(yōu)勢。一是加強人工智能前沿基礎理論和關鍵的共性基礎研究，通過“智源學者計劃”，吸引人工智能高端人才，更多培養(yǎng)青年科研人員，加快搭建自主底層的技術架構。二是支持開展量子計算關鍵器件的核心技術和軟件系統(tǒng)的生態(tài)構建，促進在大數(shù)據(jù)搜索、人工智能、藥物研發(fā)等領域的應用。三是支持開展區(qū)塊鏈的前沿技術攻關，搭建算力模型、軟硬技術支撐的技術構架體系。四是支持開展生物技術攻關，加快研發(fā)生命科學前沿新技術，生物安全防控關鍵技術。 第二，在補足短板方面，著力攻克重要領域關鍵的核心技術。一是推動集成電路產研一體突破。二是開展關鍵新材料的技術攻關，加速第三代半導體等領域技術和產品的研發(fā)過程。三是聚焦通用型的關鍵零部件，研發(fā)突破部分儀器的關鍵零部件。四是推動高端儀器設備研發(fā)實現(xiàn)突破，支持形成一批服務于重大的科技基礎設施的定制化的科學儀器和設備。 前瞻部署基礎研究 2025年北京國際科創(chuàng)中心形成 科技部副部長李萌介紹，十九屆五中全會明確提出支持北京、上海、粵港澳大灣區(qū)形成國際科技創(chuàng)新中心，為北京科技創(chuàng)新中心建設賦予了新的目標和任務?？萍疾俊⒈本┦蟹e極主動貫徹落實，與國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、中國科學院等21個部門共同謀劃北京國際科技創(chuàng)新中心建設方案，提出《“十四五”北京國際科技創(chuàng)新中心建設戰(zhàn)略行動計劃》，形成系統(tǒng)性、整體性、協(xié)同性設計和安排。 李萌指出，北京國際科創(chuàng)中心建設要走出新路子，關鍵是能力和生態(tài)的構建。首先，以布局國家戰(zhàn)略科技力量構建牽引力。按照黨中央部署，科技部會同相關部委全力支持北京培育建設國家實驗室，參與重組國家重點實驗室體系，牽頭建設京津冀國家技術創(chuàng)新中心，探索建立“頂層目標牽引、重大任務帶動、基礎能力支撐”的科技組織模式，在前沿領域培育一批世界一流新型研發(fā)機構。 同時，以展開重大基礎前沿領域研發(fā)構建原創(chuàng)力。按照習近平總書記“四個面向”的要求，圍繞量子信息、人工智能、區(qū)塊鏈、生命健康等新科技革命和產業(yè)變革前沿領域，共同實施系列專項行動，前瞻部署基礎研究，推進關鍵核心技術攻關，補短板和鍛長板并舉，努力構建先發(fā)優(yōu)勢。另外，以改革和政策先行先試構建新動力。積極支持北京發(fā)揮好中關村國家自主創(chuàng)新示范區(qū)、中國（北京）自由貿易試驗區(qū)的政策優(yōu)勢，持續(xù)深化改革，完善科技治理體系，為創(chuàng)新主體創(chuàng)造更好科研生態(tài)、技術生態(tài)、產業(yè)生態(tài)。 支撐科技創(chuàng)新加速突破 北京在構建國家戰(zhàn)略科技力量方面應該是具有先發(fā)優(yōu)勢，擁有一批世界頂尖科學家、工程技術專家；擁有中科院、清華、北大等一大批知名的高校院所。布局有高能同步輻射光源等20個左右重大科技基礎設施、128個國家重點實驗室、68個國家工程技術中心，以及近2.9萬家國家級高新技術企業(yè)。 北京市副市長、秘書長靳偉表示，“十四五”期間，北京將發(fā)揮社會主義市場經濟條件下新型舉國體制優(yōu)勢，突出強調支撐和引領作用，力爭形成國家實驗室、國家重點實驗室、綜合性國家科學中心、新型研發(fā)機構“上下銜接、差異布局、協(xié)同聯(lián)動，體系發(fā)展”的戰(zhàn)略科技力量布局，支撐科技創(chuàng)新加速突破。 加速北京懷柔綜合性國家科學中心建設。懷柔科學城正在加速集聚創(chuàng)新資源，加速培育創(chuàng)新生態(tài)環(huán)境，中科院納米能源所已搬遷入駐，綜合極端條件實驗裝置、材料基因組平臺等率先進入了科研狀態(tài)，“科學+城”的城市框架扎實起步。懷柔科學城將加快推進世界一流重大科技基礎設施集群建設，積極探索重大科技基礎設施開放運行的新機制，支持與全球頂尖的科學家、國際科技組織共同加強重大科學問題研究。在能源、物質、空間等重點學科加快跨領域、跨區(qū)域創(chuàng)新要素的整合布局。 北京將持續(xù)支持建設世界一流新型研發(fā)機構。這幾年北京在人工智能、腦科學、量子、應用數(shù)學等領域先后建設了一批新型研發(fā)機構?！笆奈濉逼陂g，北京將在光電子、區(qū)塊鏈等前沿領域繼續(xù)布局建設新一批新型研發(fā)機構，并在運行機制、支持方式、人才引進、績效評價、成果轉化等方面要以更大力度探索制度創(chuàng)新，讓科學家有更大的話語權。 未來五年北京如何激發(fā)人才創(chuàng)新活力？ 記者在國新辦發(fā)布會現(xiàn)場了解到，北京市制定實施了“人才五年行動計劃”，創(chuàng)新新型研發(fā)機構的支持方式和管理模式，深化職稱制度和科技獎勵的制度改革，探索“揭榜攻關”模式，特別是通過實施促進科技成果轉化條例、科創(chuàng)30條，極大激發(fā)各類創(chuàng)新主體和科研人員的積極性。 靳偉進一步解釋，“十四五”期間，北京市將在國家各個部委的支持下發(fā)揮好國家服務業(yè)擴大開放綜合示范區(qū)和中國（北京）自由貿易試驗區(qū)的政策優(yōu)勢，率先開展相關先行先試，在激發(fā)人才創(chuàng)新的活力方面，要依托國家實驗室、新型研發(fā)機構等科研載體，更大力度地吸引國際人才的落戶，集聚培養(yǎng)一批優(yōu)秀的青年人才，加快形成多層次的創(chuàng)新人才梯隊，讓各類人才能夠心無旁騖的專注事業(yè)，人盡其才。同時，加強人才的引進服務保障，進一步提高國際人才來京工作的審批效率，構建國際化的學術環(huán)境和生活環(huán)境。 靳偉強調，北京市將開展科技評價體系改革，破除“唯論文、唯職稱、唯學歷、唯獎項”的導向。 “去年北京促進科技成果的轉化條例正式實施，這是科研人員長期期盼的科技成果的權屬改革實現(xiàn)了制度性的突破，去年一年應該說取得了較好的成績，”靳偉坦言，但北京也存在落地“最后一公里”的問題，下一步將著力打通法規(guī)落地的堵點問題，為創(chuàng)新者賦能護航。

2020年，當大多數(shù)快充電源廠商還在65W氮化鎵快充市場探索時，倍思開創(chuàng)性的推出了業(yè)界首款120W氮化鎵+碳化硅快充充電器。也正是這款產品，第一次將“碳化硅快充”從設想變?yōu)楝F(xiàn)實，開啟了碳化硅在快充領域商用的大門。 隨后，MOMAX、REMAX等廠商陸續(xù)跟進，基于碳化硅推出多款百瓦級大功率快充電源，也讓越來越多的業(yè)內人士和消費者對碳化硅有了更進一步的了解。 一、官宣：碳化硅寫入十四五規(guī)劃 2021年3月13日，新華網刊登了《中華人民共和國國民經濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》，其中“集成電路”領域，特別提出碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體要取得發(fā)展。 碳化硅和氮化鎵都屬于第三代半導體寬禁帶半導體材料，能夠在“十四五規(guī)劃”中提名，足以說明其重要程度已經上升到了國家的層面。相信在國家的助推下，國內將迅速形成適合第三代半導體發(fā)展的環(huán)境，前景十分值得期待。 二、碳化硅用于快充的優(yōu)勢 碳化硅（SiC）是碳和硅的化合物，碳化硅單晶材料目前采用物理氣相輸運（PVT）法，在超過2000℃的高溫下，將碳粉和硅粉通過高溫分解成原子，通過溫度控制沉積在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶體。 作為第三代半導體材料，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，介電擊穿強度更大、飽和電子漂移速度更快且熱導率更高。因此，當用于半導體器件中時，碳化硅器件擁有高耐壓、高速開關、低導通電阻、高效率等特性，有助于降低能耗和縮小系統(tǒng)尺寸。 碳化硅可以廣泛應用于電動汽車、逆變器、軌道交通、太陽能、風力發(fā)電、消費類電源等領域。近年來，隨著USB PD快充技術的普及和氮化鎵技術的成熟，大功率快充電源市場逐漸興起，碳化硅二極管也開始在消費類電源市場中嶄露頭角，進入了多款百瓦級大功率快充供應鏈，助力快充電源實現(xiàn)更高的效率和更小的體積。 充電頭網了解到，在大功率快充電源產品中，碳化硅二極管主要用于PFC級的升壓整流；搭配氮化鎵功率器件，可以將PFC級的工作頻率從傳統(tǒng)快充的不足100KHz提升到300KHz，由此減小升壓電感體積，實現(xiàn)高功率密度的設計，同時也讓電源的效率得到了大幅提升。 開關電源中，由于整流后采用大容量的濾波電容，呈現(xiàn)容性負載，而在電容充放電時會使電網中產生大量高次諧波，產生污染和干擾，人們開始在開關電源中引入PFC電路，功率在75W以上的開關電源強制要求加入PFC電路以提高功率因數(shù)，修正負載特性。 PFC分為被動式和主動式兩種。被動式采用大電感串聯(lián)補償，主要缺點是體積大，且效率低。隨著近年來半導體器件迅猛發(fā)展，被動式PFC被主動式PFC全面取代。主動式PFC采用PFC控制器、開關管、電感和二極管組成升壓電路，具有體積小，輸入電壓范圍寬，功率因數(shù)補償效果好的優(yōu)點。 因此，碳化硅在消費類電源領域的關注度越來越高，并逐漸成為了大功率快充產品的核心競爭力。

電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應器，其特點是可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA) 及其他數(shù)字或模擬負載提供供電。由于模塊式結構的優(yōu)點甚多，因此模塊電源廣泛用于交換設備、接入設備、移動通訊、微波通訊以及光傳輸、路由器等通信領域和汽車電子、航空航天等。 一般來說，這類模塊稱為負載點 (POL) 電源供應系統(tǒng)或使用點電源供應系統(tǒng) (PUPS)。由于模塊式結構的優(yōu)點甚多，因此模塊電源廣泛用于交換設備、接入設備、移動通訊、微波通訊以及光傳輸、路由器等通信領域和汽車電子、航空航天等。 尤其近幾年由于數(shù)據(jù)業(yè)務的飛速發(fā)展和分布式供電系統(tǒng)的不斷推廣,模塊電源的增幅已經超出了一次電源。模塊電源具有隔離作用，抗干擾能力強，自帶保護功能，便于集成。隨著半導體工藝、封裝技術和高頻軟開關的大量使用,模塊電源功率密度越來越大,轉換效率越來越高,應用也越來越簡單。 人們在開關電源技術領域是邊開發(fā)相關的電力電子器件，邊開發(fā) 開關變頻技術，兩者相互促進推動著開關電源每年以超過兩位數(shù)字的增長率向著輕、小、薄、低噪聲、高可靠、抗干擾的方向發(fā)展。開關電源可分為AC/DC和DC/DC兩大類，DC/DC變換器現(xiàn)已實現(xiàn)模塊化，且設計技術及生產工藝在國內外均已成熟和標準化，并已得到用戶的認可，但AC/DC的模塊化，因其自身的特性使得在模塊化的進程中，遇到較為復雜的技術和工藝制造問題。 電源模塊的工作原理與開關電源的工作原理一樣，是采用功率半導體器件作為開關元件，通過周期性通斷開關，控制開關元件的占空比來調整輸出電壓。同時，根據(jù)應用環(huán)境和電子產品的需要，通過一些電路設計，同時還擔負著變壓、隔離、濾波等功能。用一句話來說，模塊電源是集成度更高，功能與效率更好的開關電源。 模塊電源雖然說是屬于開關電源的一種，但它相比于普通的開關電源，有著很多的優(yōu)勢。它是可以直接插裝或貼裝在印刷電路板上的電源供應器，其特點是可為專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)及其他數(shù)字或模擬負載提供供電。